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TMS470R1VF336A ， TMS470R1VF346A
16位/ 32位RISC闪存微控制器
SPNS079I - 2002年10月 - 修订2006年9月
记忆SELECTS
内存选择允许用户解决存储阵列（例如，闪存，RAM和HET RAM） ，在用户自定义
地址。每个存储器选择都有自己的一套（高，低）的内存基地址寄存器（ MFBAHRx
和MFBALRx ）表示，一起，定义了阵列的开始（基准）的地址，块大小，以及保护。
每个内存的基址选择是CON连接可配置到任意内存地址边界即是多
的已解码的块的大小。有关如何控制和CON连接gure这些内存选择寄存器的更多信息，
看到的总线结构和存储器部分
TMS470R1x系统模块参考指南
（文学
数SPNU189 ） 。
对选定的存储器选择分配和所述存储器，见表2 。
表2.内存分配的选择
内存
SELECT
0 （FI NE ）
1 （FI NE ）
2 （FI NE ）
3 （精）
4 （精）
内存选择
（所有内部）
FL灰
FL灰
内存
内存
HET RAM
内存
SIZE
128K
8K
1K
MPU
NO
NO
是的
是的
存储器基地址寄存器
MFBAHR0和MFBALR0
MFBAHR1和MFBALR1
MFBAHR2和MFBALR2
MFBAHR3和MFBALR3
MFBAHR4和MFBALR4
SMCR1
静态MEM
CTL注册
两个RAM内存选信号的起始地址
不能
由用户定义的块大小中的一个的多个彼此抵消
存储器基地址寄存器。
内存
该VF3x6A器件包含8K字节的内部静态RAM由SYS模块配置加以解决
内的0x0000_0000处到0xFFE0_0000的范围内。这VF3x6A RAM被一个8K阵列实现所选
由两条内存选信号。这VF3x6A配置强加存储器映射上的附加约束
对于RAM;为RAM存储器中选择的起始地址
不能
由倍数彼此抵消
物理RAM的大小（即， 8K为VF3x6A装置） 。该VF3x6A RAM是通过解决
存储器选择2和3 。
内存可以由SYS模块的存储器保护单元（ MPU）部分进行保护，使用户
存储器保护的更细的块不是被允许由存储器选择。主控板是理想的用于保护
操作系统，同时允许访问当前任务。关于MPU的部分更详细的信息
sys模块和内存保护，看到的内存部分
TMS470R1x系统模块
参考指南
（文献编号SPNU189 ） 。
F05闪存
的F05闪存存储器是用一个实现的非易失性电可擦除可编程存储器
32位宽的数据总线的接口。在F05闪存具有外部状态机的编程和擦除
功能。见
Flash读
和
Flash编程和擦除
下面的部分。
闪存保护密钥
该VF3x6A设备提供闪存保护密钥。这四个32位密钥的保护防止编程/擦除/
发生四个保护密钥已经被匹配的CPU负荷后，直到压实作业
正确的用户钥匙进入FMPKEY控制寄存器。两个VF336A和VF346A保护密钥
位于最后4个字的第一个8K部门。有关闪存保护密钥的详细信息，并
在FMPKEY控制寄存器，请参阅可选四保护锁和编程的保护
的关键部分
TMS470R1x F05闪存参考指南
（文献编号SPNU213 ） 。
Flash读
该VF3x6A闪存可配置的SYS模块是0x0000_0000处的范围内解决
到0xFFE0_0000 。通过存储器寻址的闪光选择0和1 。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
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