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TMS470PLF111
16位/ 32位RISC闪存微控制器
SPNS113 - 2006年10月
自旋主模式时序参数(续)
自旋主模式外部时序参数(时钟相位= 1 , SPInCLK =输出, SPInSIMO =
输出,并SPInSOMI =输入)
(1)(2)(3)
(参见图18)
1
2
(5)
3
(5)
t
C( SPC )M
t
W( SPCH )M
t
W( SPCL )M
t
W( SPCL )M
t
W( SPCH )M
t
V( SIMO - SPCH )M
t
V( SIMO - SPCL )M
5
(5)
6
(5)
7
(5)
t
V( SPCH - SIMO )M
t
V( SPCL - SIMO )M
t
SU( SOMI - SPCL )M
t
V( SPCH - SOMI )M
t
V( SPCL - SOMI )M
周期时间, SPInCLK
(4)
脉冲持续时间, SPInCLK高(时钟极性= 0 )
脉冲持续时间, SPInCLK低(时钟极性= 1 )
脉冲持续时间, SPInCLK低(时钟极性= 0 )
脉冲持续时间, SPInCLK高(时钟极性= 1 )
有效时间, SPInCLK高后SPInSIMO数据有效
(时钟极性= 0 )
有效时间, SPInCLK后SPInSIMO数据有效低电平(时钟极性= 1 )
有效时间, SPInSIMO数据后SPInCLK高有效(时钟极性= 0 )
有效时间, SPInSIMO数据后SPInCLK低有效(时钟极性= 1 )
125
0.5t
C( SPC )M
– t
r
0.5t
C( SPC )M
– t
f
0.5t
C( SPC )M
– t
f
0.5t
C( SPC )M
– t
r
0.5t
C( SPC )M
– 10
0.5t
C( SPC )M
– 10
0.5t
C( SPC )M
– 5 – t
r
0.5t
C( SPC )M
– 5 – t
f
6
6
6
6
ns
最大
256t
C( VCLK )
0.5t
C( SPC )M
+ 5
0.5t
C( SPC )M
+ 5
0.5t
C( SPC )M
+ 5
0.5t
C( SPC )M
+ 5
单位
4
(5)
t
SU( SOMI - SPCH )M
建立时间, SPInSOMI前SPInCLK高(时钟极性= 0 )
建立时间, SPInSOMI前SPInCLK低(时钟极性= 1 )
有效时间, SPInSOMI数据后SPInCLK高有效(时钟极性= 0 )
有效时间, SPInSOMI数据后SPInCLK低有效(时钟极性= 1 )
1 MASTER位设置和时钟相位设置。
2 t
C( VCLK )
=接口时钟周期时间= 1 /女
( VCLK )
3对于上升和下降时序,请参阅输出时序与负载capacitance"表"switching特点。
4当SPI处于主控模式下,必须满足以下条件:
对于PS值从1到255 :吨
C( SPC )M
( PS +1 )T
C( VCLK )
为100 ns ,其中PS是预分频值。
对于0 PS值:吨
C( SPC )M
= 2t
C( VCLK )
100纳秒。
5引用的SPInCLK信号的有效边沿由时钟极性位控制。
邮政信箱1443
休斯敦,得克萨斯州77251-1443
47

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