UCC27200 ， UCC27201
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SLUS746 - 2006年12月
应用信息（续）
自举二极管的性能
该UCC2720x系列驱动器的集成需要产生高压侧偏置的自举二极管
在内部。此二极管的特性是很重要的，实现高效，可靠的操作。直流
特性要考虑的是V
F
和动态性。低V
F
和高动态电阻导致一个
在充电过程中的自举电容的高正向电压。该UCC2720x有额定电压为0.65 V启动二极管
V
F
和0.6动态电阻
供可靠的电荷转移到所述自举电容器。动态
特性要考虑的是二极管的恢复时间和存储电荷。被指定二极管的恢复时间
没有条件，可能会产生误导。在没有正向电流（I二极管的恢复时间
F
）可明显小于
与正向电流应用。该UCC2720x启动二极管恢复被指定为20ns的，在我
F
= 20 mA时，我
转
= 0.5
A.在0毫安我
F
反向恢复时间为15毫微秒。
另一个不那么明显的考虑是如何二极管的存储电荷会受施加电压。上
当从低到高的HS节点的转换，电荷从启动中删除所有的开关转换
电容器的反向偏置二极管的电容充电。这是其中的驱动功率损失的一部分和
减少了对HB电容器上的电压。在较高的外加电压，所述UCC2720x伪码所存储的电荷
二极管通常比类似的肖特基二极管更小。
布局建议
提高开关特性和外观设计的效率，以下布局规则，应遵循。
找到驱动程序尽可能靠近MOSFET管。
找到V
DD
和V
HB
（引导）电容尽可能靠近给驾驶员。
密切关注GND跟踪。使用DDA和DRM封装的散热焊盘的GND通过
将其连接到VSS端子（GND）。
注：在DRM包的使用PowerPad 必须连接到
VSS在PCB作为此连接上是不是内部的驱动程序包。从驱动程序的GND走线变
直接到MOSFET的源极，但不应该在MOSFET （S） - 漏极的高强度电流路径或
源电流。
使用类似的规则， HS节点作为GND为高侧驱动器。
使用宽走线的LO和HO密切关注相关的GND或HS痕迹。 60万到100万的宽度
最好在可能的情况。
用作至少两个或更多个通孔，如果驱动器输出或SW节点需要被路由从一层到另一层。
为GND通孔的数量必须是考虑了导热垫要求，以及寄生
电感。
避免L
I
和H
I
（驱动器输入）要靠近给HS节点或任何其他高dV / dt的痕迹，能诱导
显著的噪声进入相对高阻抗导线。
请记住，一个贫穷的布局会导致效率的显著下降与良好的PCB布局和能
甚至会导致整个系统的可靠性降低。
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