2SK3757
R
DS （ ON）
TC =
10
I
DR
– V
DS
10
反向漏电流I
DR
(A)
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
8
3
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
1
6
ID
=
2 A
4
1.0
0.3
10
3
0.03
1
0.01
VGS
=
0,
1
V
0.5
0.1
2
0
80
40
0
40
80
120
160
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压V
DS
(V)
1000
电容 - V
DS
5
西塞
V
th
TC =
V
th
(V)
常见的来源
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
4
（PF ）
100
科斯
栅极阈值电压
电容C
3
2
10
常见的来源
V
ＧＳ
= 0V
F = 1MHz的
TC = 25 ？
1
0.1
1
10
100
CRSS
1
0
80
40
0
40
80
120
160
漏源电压V
DS
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
TC =
50
500
动态输入/输出
特征
漏源电压V
DS
(V)
常见的来源
ID
=
2 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
VDS
300
90
200
VDS
=
360 V
VGS
8
180
12
20
P
D
(W)
漏极功耗
30
20
10
100
4
0
0
40
80
120
160
200
0
0
2
4
6
8
10
12
0
14
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
4
2006-11-06
栅源电压V
GS
40
400
16
(V)
