2SK2094
晶体管
4V驱动N沟道MOS FET
2SK2094
结构
硅N沟道MOS FET
外形尺寸
（单位：毫米）
CPT3
6.5
5.1
2.3
0.5
特点
1）低导通电阻。
2 ）开关速度快。
3 ）范围内的SOA （安全工作区） 。
4 ） 4V的驱动器。
5 ）驱动电路可以很简单。
6 ）并行使用非常简单。
5.5
1.5
0.9
0.75
0.65
(1)Gate
(2)Drain
(3)Source
0.9
(1)
2.3
(2)
(3)
2.3
0.8Min.
0.5
1.0
缩写符号： K2094
应用
开关
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位
（件）
2SK2094
TAPING
TL
2500
内部电路
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
(1)
(2)
(3)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
连续
漏电流
反向漏
当前
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
DR
I
DRP
P
D
总胆固醇
TSTG
范围
60
单位
V
V
A
A
A
A
W
±20
2
8
2
8
10
150
55
to
+150
总功率耗散（TC = 25
°C
)
通道温度
储存温度
°C
°C
Pw
≤
300μS ，占空比
≤
2%
Rev.A的
2.5
1.5
9.5
1/4
