2SD1140
东芝三极管
NPN硅外延式（ PCT程序） （达林顿功率晶体管）
2SD1140
微电机驱动，锤驱动应用
切换应用程序
功率放大器的应用
高直流电流增益：H
FE
= 4000 （分钟） （V
CE
= 2 V，I
C
= 150 mA）的
低饱和电压： V
CE （SAT）
= 1.5伏（最大） （我
C
= 1 A，I
B
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
30
10
1.5
50
900
150
55
150
单位
V
V
V
A
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TO-92MOD
―
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
东芝
2-5J1A
温度/电流/电压和在显著变化
重量：0.58克（典型值）。
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
等效电路
集热器
BASE
辐射源
1
2006-11-21
