位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1207页 > AT45DB081B-CC > AT45DB081B-CC PDF资料 > AT45DB081B-CC PDF资料1第6页
最近期的主存储器页的结果缓冲区比较操作指示，后跟
在状态寄存器的第6位标识。如果第6位是0，则在主存储器中的数据
页面匹配在缓冲器中的数据。如果第6位是1时，在数据的话，至少一个位
主存储器页不存在于缓冲器匹配的数据。
器件密度是使用位5,4 ，和3中的状态寄存器的指示。对于
AT45DB081B ，三个比特是1，0和0这三个二进制位的十进制值
并不等同于该设备的密度;三个比特表示一个组合码
有关的串行数据闪存器件不同的密度，允许总共八个differ-
耳鼻喉科密度配置。
编程和擦除
COMMANDS
缓冲区写：
数据可以从SI引脚移入到无论是缓冲器1或缓冲区2 。
将数据加载到任何的缓冲区，一个8位的操作码， 84H缓冲区1 87H缓冲区2 ，必须
跟着15不在乎位和9位地址（ BFA8 - BFA0 ） 。九
地址位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。的数据被输入之后
的地址位。如果数据缓冲区的末尾为止，该装置将环绕
备份到缓冲区的开始。数据将继续被加载到缓冲器中，直到
低到高的转变上检测到CS引脚。
缓冲区带内置擦除主存储器页编程：
数据写入
入任一缓冲器1或缓冲液2可以被编程到主存储器中。要启动
操作中，一个8位的操作码， 83H为缓冲器1或86H缓冲区2中，必须遵循由
3保留位， 12位地址（ PA11 - PA0 ） ，在主指定的页面
存储器的写入，并且附加不在乎9位。当低到高的转变
发生在CS引脚，该部分将首先删除在主存储所选择的页面为全1
然后程序存储在缓冲器中复制到指定的页面在主MEM-数据
ORY 。无论是擦除和页编程在内部自定时的
应于吨的最大时间
EP
。在此期间，状态寄存器将indi-
美食，该部分正忙。
BUFFER主存储器页编程没有内置ERASE ：
A
主存储器中的先前被擦除的页可以与内容进行编程
无论是缓冲器1或缓冲区2.要开始操作，一个8位的操作码， 88H缓冲区1
89H缓冲区2中，必须遵循的三个保留位， 12位地址位
（ PA11 - PA0 ） ，用于指定要被写入主存储器中的页面，和9额外
tional无关位。当低到高的转变发生在CS引脚，该部分
程序存储在缓冲器中复制到指定的页面在主存储器中的数据。这是
需要使该正被编程的页面在主存储器之前已经
删除。在页面的编程是在内部自定时的，应在一
吨的最大时间
P
。在此期间，状态寄存器将指示该部分是
忙。
页擦除：
可选的页擦除命令可以用来单独擦除
主存储器阵列，允许在缓冲区中的主存储器页编程中的任何页面
没有内置擦除命令来在稍后的时间被利用。要执行页擦除，
81H的操作码必须被加载到设备上，接着是三个保留位，
12位地址（ PA11 - PA0 ） ，九无关位。的12位地址位被用来
指定页的存储器阵列的是要被擦除。当低到高的转变
发生在CS引脚，该部分将删除选定的页面，以1秒。擦除操作是
在内部自定时应在吨的最大时间
PE
。在这段时间内，
状态寄存器将指示该部分正忙。
BLOCK ERASE ：
的八页的块可以同时使缓冲器被清除
主存储器页编程没有内置擦除命令被用来降低
大量数据写入到所述装置的时候编程时间。要执行
块擦除， 50H的操作码必须被加载到设备上，接着是三个
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AT45DB081B
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