2SC5091FT
东芝晶体管NPN硅外延平面型
2SC5091FT
VHF UHF波段低噪声放大器的应用
低噪声系数，增益高。
NF = 1.1分贝， | S
21e
|
2
= 13分贝（ F = 1千兆赫）
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
B
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
20
8
1.5
20
40
100
125
55~125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障率，
等）。
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-1B1A
重量： 0.0022克（典型值）。
微波特性
（大
=
25°C)
特征
跃迁频率
插入增益
符号
f
T
S
21e
(1)
S
21e
(2)
NF （1）
NF（ 2）
2
2
测试条件
V
CE
=
8 V，I
C
=
20毫安
V
CE
=
8 V，I
C
=
20毫安，女
=
1 GHz的
V
CE
=
8 V，I
C
=
20毫安，女
=
2 GHz的
V
CE
=
8 V，I
C
=
5毫安，女
=
1 GHz的
V
CE
=
8 V，I
C
=
5毫安，女
=
2 GHz的
民
7
10
典型值。
10
13
7
1.1
1.7
最大
2.5
单位
GHz的
dB
噪声系数
dB
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
反向传输电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注1 ）
C
ob
C
re
测试条件
V
CB
=
10 V，I
E
=
0
V
EB
=
1 V，I
C
=
0
V
CE
=
8 V，I
C
=
20毫安
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
50
典型值。
0.7
0.5
最大
1
1
160
0.95
pF
pF
单位
μA
μA
（注2 ）
注1 ：H
FE
分类R： 50 100 ，O： 80 160
注2 ：C
re
由3端子法与电容电桥测量。
1
2007-11-01
