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2SC3647
NPN外延硅晶体管
典型特性的影响
I
C
- V
CE
I
C
- V
CE
5.
0m
A
2.0
A
50 m
集电极电流IC ( A)
集电极电流IC ( A)
1.6
40mA
30mA
20μm的
10mA
5mA
1.0
A
4.5m
4.0mA
3.5mA
3.0mA
2.5mA
0.8
1.2
0.6
2.0mA
0.8
3mA
2mA
1mA
I
B
= 0
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压,V
CE
(V)
0.4
1.5mA
1.0mA
0.4
0
0.2
0
0.5mA
I
B
= 0
0
10
20
30
40
50
集电极到发射极电压,V
CE
(V)
I
C
- V
BE
2.4
2.0
集电极电流IC ( A)
h
FE
- I
C
V
CE
= 5V
1000
7
5
直流电流增益,H
FE
V
CE
= 5V
1.6
1.2
75
3
2
T A = 75
25
- 25
TA =
2 5
- 25
0.8
0.4
0
100
7
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
3
70.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2 3
基地发射极电压,V
BE
(V)
c
ob
- V
CB
100
7
输出电容,C
ob
(PF )
集电极到发射极饱和电压,
V
CE (SAT)
(毫伏)
集电极电流,I
C
(A)
V
CE (SAT)
- I
C
F = 1MHz的
5
3
2
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7 0.01
2
-25℃
I
C
/I
B
= 10
10
7
5
3
7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
TA = 75 ℃
2 5
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
集电极 - 基极电压,V
CB
(V)
集电极电流,I
C
(A)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
3
QW-R208-039,A

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