2SC2236
I
C
– V
CE
1600
1400
h
FE
– I
C
1000
直流电流增益
FE
10
8
共发射极
TA = 25°C
500
300
100
50
30
10
1
TA = 100℃
25
25
共发射极
VCE = 2 V
3
10
30
100
300
1000
3000
（MA ）
1200
6
1000
800
600
400
200
0
0
IB = 1毫安
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
4
3
2
集电极电流I
C
集电极电流I
C
（MA ）
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
V
CE （SAT）
– I
C
5
1600
共发射极
IC / IB = 50
1400
I
C
– V
BE
共发射极
VCE = 2 V
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
3
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
1
TA =
25°C
25
（MA ）
集电极电流I
C
1200
1000
TA = 100℃
800
600
400
200
0
0
25
25
3
10
30
100
300
1000
3000
集电极电流I
C
（MA ）
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
基射极电压
V
BE
(V)
安全工作区
5
P
C
- TA
1000
3
集成电路最大值（脉冲） *
IC MAX（连续）
100毫秒*
10毫秒*
1毫秒*
（ mW）的
(A)
1
1 s*
0.5
0.3
直流操作
TA = 25°C
800
集电极耗散功率
600
400
集电极电流I
C
P
C
0.1
* ：单非重复脉冲
0.05
TA = 25°C
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
最大VCEO
10
30
200
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.02
0.3
1
3
环境温度Ta （C ）
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
3
2006-11-09
