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n
典型应用，应用提示
PMOS
L
V
IN
CE
C
IN
GND
EXT
V
OUT
SD1
C
OUT
负载
CE控制
PMOS ： HAT1020R （日立） ， Si3443DV （ Siliconix公司）
SD1
C
IN
： RB491D （罗门哈斯）
： 10mF52 （钽电容）
L
： CD105 （墨田区，分别按27MH ）
C
OUT
： 47mF （钽电容）
当你使用这些IC ，请考虑以下问题;
l
如图所示的框图中，寄生二极管形成在每个终端，每个这些二极管的未形成
对于负载电流，因此不以这样的方式使用它。当您通过其他电源控制CE引脚，
不使其"H"水平比V的电压电平更
IN
引脚。
l
锁存型保护电路的操作如下;
当最大占空比持续时间大于保护电路的延迟时间， （参考电
特性）保护电路的工作原理，以关机功率MOSFET，它的锁存操作。因此
当一个输入/输出电压差较小时，保护电路可能使用小负载电流。
要释放闩锁保护状态后，禁止该IC具有芯片使能电路，再启用它，或者重新启动该
IC与电源接通。然而，在重新启动该集成电路与电源接通时，电源后的情况下是关闭的，如果一个
一定量的电荷保持在C中
IN，
或某些电压被强制到V
IN
从C
IN，
此集成电路可能不能重新启动
即使在上电。
如果电源电压的上升转变的速度太慢，或者这是需要的V中的时间
IN
电压达到输出
用DC / DC转换器的电压比软起动时间加上延迟时间为保护电路，保护电路不再
V之前的作品
IN
电压达到的DC / DC变换器的输出电压。为了防止这种行为，而电源
电压还没有准备好，使该IC是待机模式（ CE = “L”） ，并且当电源就绪（电压电平
V的
IN
等于或大于V的电压电平
OUT
） ，使使能（CE = “H”） 。
l
复位型保护电路的操作如下;
当最大占空比持续时间大于保护电路的延迟时间， （参考电
特性）保护电路的工作原理，重新启动与软启动运行。因此，当一个输入/输出
电压差较小时，保护电路可能使用小负载电流。
l
设置外部元件尽可能接近的IC和尽量减少部件之间的连接
和IC 。特别是，电容器应连接到V
OUT
引脚的最小连接。并进行
充分接地，并加强供应。大开关电流流过电源的连接
供给，电感器和V的连接
出。
如果电源的连接的阻抗为高时，
在IC的电源的电压电平波动的切换电流。这可能会导致不稳定操作
该IC 。
l
使用电容容量22mF或以上的V
OUT
销，并具有良好的高频特性，例如
如钽电容。我们建议您使用与允许的电压是电容至少两倍
多地设置输出电压。这是因为有可能出现一种情况，其中一个尖峰形的高电压是
由电感器产生的，当外部晶体管是打开和关闭。
l
选择具有足够小的直流电阻和大的容许电流，是难以达到的电感器
磁饱和。如果电感器的电感的值极小，在我
LX
可能超过
绝对最大额定值在最大负荷。
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修订版1.11
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