2SA1163
东芝三极管
PNP硅外延型（厘过程）
2SA1163
音频通用放大器应用
高电压： V
首席执行官
=
120
V
优秀
FE
线性：H
FE
(I
C
=
0.1
毫安） /小时
FE
(I
C
=
2
毫安）
= 0.95 （典型值）。
高
FE ：
h
FE
= 200~700
低噪声（典型值） NF = 1分贝， 10分贝（最大值）
补充2SC2713
小型封装
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
120
120
5
100
20
150
125
55~125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
TO-236MOD
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
JEITA
SC-59
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
东芝
2-3F1A
可靠性显著即使工作条件下（即
重0.012克（典型值）
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
（注）
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
NF
测试条件
V
CB
= 120
V，I
E
=
0
V
EB
= 5
V，I
C
=
0
V
CE
= 6
V，I
C
= 2
mA
I
C
= 10
妈，我
B
= 1
mA
V
CE
= 6
V，I
C
= 1
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
V
CE
= 6
V，I
C
= 0.1
毫安，女
=
1千赫，
Rg
=
10 kΩ,
民
200
典型值。
100
4
1.0
最大
0.1
0.1
700
0.3
10
V
兆赫
pF
dB
单位
μA
μA
注：H
FE
分类GR （ G） ： 200 400 ， BL （ L） ： 350 700
（ ）标记符号
记号
1
2007-11-01
