W25X10 ， W25X20 ， W25X40 ， W25X80
10.2.6写状态寄存器（ 01H ）
写状态寄存器指令允许写入状态寄存器。写入启用
指令必须先前已为设备接受写状态寄存器执行
指令（状态寄存器位WEL必须等于1 ） 。一旦写使能后，指令由输入
驾驶/ CS为低电平，发送指令代码“ 01H ” ，然后写状态寄存器的数据字节为
在图7中的状态寄存器的位示示于图3和上文中的描述
数据表。
仅非挥发性状态寄存器的位SRP ，结核病， BP2 ， BP1和BP0 （ ，位7,5 4,3和2 ）可
写入。所有其他状态寄存器位的位置是只读的，并且不会受写
状态寄存器指令。
在/ CS引脚必须驱动为高电平后，最后一个字节的第八位已被锁定。如果这不是
做了写状态寄存器指令不被执行。后/ CS为高，自定时
写状态寄存器周期将开始为T的持续时间
W
（参见AC特性） 。而
写状态寄存器周期正在进行中，读状态寄存器指令仍然可以访问
检查BUSY位的状态。 BUSY位为1时的写状态寄存器周期和
0时，循环结束，并准备再次接受其他指令。后写寄存器
周期结束的写使能状态寄存器锁存器（ WEL）位将被清0 。
写状态寄存器指令允许块保护位（TB ， BP2 ， BP1和BP0 ）进行设置
为保护所有的记忆，一部分，或者没有从擦除和编程指令。保护
区变为只读（见状态寄存器内存保护表） 。写状态寄存器
指令还允许状态寄存器的保护位（ SRP）进行设置。该位被一起使用
与写保护（ / WP ）引脚禁用写入状态寄存器。当SRP的位被设置为0时
状态（出厂默认） / WP引脚在状态寄存器的控制。当SRP引脚设置为
1，写状态寄存器指令被锁定，而/ WP引脚为低电平。当/ WP引脚
高写状态寄存器指令是允许的。
图7.写状态寄存器指令序列图
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