位置：首页 > IC型号导航 > 首字符W型号页 > 首字符W的型号第98页 > W3EG264M64EFSUXXXD4-MG > W3EG264M64EFSUXXXD4-MG PDF资料 > W3EG264M64EFSUXXXD4-MG PDF资料1第1页
怀特电子设计
W3EG264M64EFSU-D4
高级*
1GB - 2x64Mx64 DDR SDRAM ，无缓冲， FBGA
特点
快速数据传输率： PC- 2100 ，PC- 2700和
PC3200
133兆赫， 166兆赫和200MHz的时钟速度
支持ECC错误检测和校正
双向数据选通（ DQS）
差分时钟输入（ CK & CK ＃ ）
可编程读延迟3和4（时钟）
可编程的突发长度（ 2 ， 4或8 ）
可编程突发类型（顺序&交错）
边沿对齐的数据输出，居中对齐数据输入
自动和自刷新
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
V
CC
= V
CCQ
= + 2.6V ± 0.1V （ 200MHz的）
V
CC
= V
CCQ
= + 2.5V ± 0.2V （ 133和166MHz的）
金缘接触
双列
JEDEC标准的200引脚小外形， SO -DIMM
包
PCB高度选项：
D4 ： 31.75毫米（ 1.25“ ）
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
描述
该W3EG264M64EFSU是2x64Mx64双倍数据速率
基于512Mb的DDR SDRAM SDRAM内存模块
组件。该模块包括16个64Mx8 DDR
FBGA封装的SDRAM芯片安装在一个200引脚的FR4
基材。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。数据I / O事务是可能的
两边缘和突发长度允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能
存储器系统的应用程序。
注：可用性咨询工厂：
符合RoHS标准的产品
供应商源控制选项
工业温度选项
工作频率
DDR400@CL=3
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
200MHz
3-3-3
DDR333@CL=2.5
166MHz
2.5-3-3
DDR266@CL=2
133MHz
2-2-2
DDR266@CL=2.5
133MHz
2.5-3-3
2005年8月
第0版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
