24AA65/24LC65/24C65
7.0
页面缓存和ARRAY
制图
满载64字节的缓存。由于缓存开始
装在2个字节，最后两个字节加载到
高速缓存将'翻转'和被装入前两个
（缓存）页0字节。当停止位
发送时，高速缓存的0页被写入的第3页
数组。在缓存中的剩余页面然后
加载的顺序，以该阵列。写周期
执行每个页面被写入之后。如果一个部分加载
在缓存中的页面仍然是当停止位被发送，
只有已加载将被写入的字节数
的阵列。
高速缓冲存储器是一个64字节（8页×8字节）的FIFO缓冲器。
高速缓存允许多达64字节的数据加载
写周期实际上开始之前，有效地
提供一个64字节的突发写入的最大总线
率。每当启动一个写命令时，高速缓存
开始加载，并会继续加载，直到停止位
接收到启动内部写周期。总
在写周期的长度将取决于有多少
页被加载到高速缓存中之前，停止位为
给出。最大周期的每一页为5毫秒。连
如果仅部分地加载的页面，它仍然将需要
相同的周期时间作为一个完整的页面。如果多于64个字节的
数据加载中停止位被赋予前，
地址指针将“环绕”来的开始
缓存页面0和现有的字节缓存会
覆盖。该设备将不向任何回应
命令而在写周期正在进行中。
7.3
电源管理
7.1
高速缓存写在开始页面
边界
如果一个写命令开始在页边界
（地址位A2 ，A1和A0是零），则所有的数据
加载到高速缓存将被写入到所述阵列
连续的地址。这包括跨写作
4K的块边界。在下面的例子所示，
（图8-2）写命令开始开始
第3页中的字节0用满载的高速缓存（64字节） 。
在缓存中的第一个网络字节写入第3页的0字节
（数组的），并在高速缓存中的剩余页
写入到阵列中的连续页面。写周期
执行每个页面被写入之后。由于写
开始于第3页和第8页被加载到
高速缓存中，最后3页高速缓存的写入
阵列中的下一行。
该设计采用了功耗待机模式时，
不使用时自动关闭电源后正常
当停止位被接收终端的任何操作
和所有内部功能齐全。这包括
任何错误条件（即，没有收到应答响应
每两线总线规范边缘或停止条件
化） 。该器件还集成了V
DD
MONITOR
电路，以防止意外写入（数据损坏）
在低电压的条件。在V
DD
监控电路
断电时，设备处于待机模式
命令，以进一步降低功耗。
8.0
8.1
引脚说明
A0 ， A1 ， A2芯片地址输入
该A0..A2输入用于由24XX65为多个
设备的操作和符合两线总线
标准。适用于这些引脚德网络网元的水平
由该装置中的地址被占用的地址块
地图。一个特定的设备选择通过发送
相应的位（A2， A1和A0）在控制字节
（图3-2和图8-1 ） 。
7.2
高速缓存写起在
非页边界
8.2
SDA串行地址/数据输入/
产量
当被启动的写命令不开始
在页边界（即地址位A2 ， A1和A0
不都是零） ，需要注意的是如何将数据是很重要
加载到高速缓存中，以及如何在高速缓存中的数据是
写入到阵列。当写命令开始时，将
加载到缓存连接第一个字节总是加载到
第0中的缓存页面0字节，其中
负载开始是由三个最显着的决定
地址位（A2 ，A1和A0 ），该被送往作为部分
写命令。如果写命令不开始
一个页面和缓存的0字节满载，则
最后一个字节（ S）加载到缓存将推出各地
高速缓存和连接LL剩余的空字节0页。
如果超过64字节的数据加载到高速缓存中，
已加载的数据将被覆盖。在该示例
如图8-3所示，一个写命令已经
开始与一个阵列中的起始于第3页的字节2
这是一种用于传输地址的双向引脚
和数据移入和移出数据的装置。它是一个开放
漏极端子，因此SDA总线需要一个上拉
电阻TO V
CC
（典型值10 kΩ的100千赫， 2 kΩ的400
千赫） 。
在正常传输数据SDA被允许仅改变
在SCL为低电平。在SCL为高电平变化
用于指示启动和停止条件保留。
8.3
SCL串行时钟
此输入用于同步从数据传送
和设备。
2003 Microchip的技术公司
DS21073J第11页
