24C01C
1K 5.0V我
2
C
串行EEPROM
产品特点：
至5.5V单电源供电，工作在4.5
低功耗CMOS技术：
- 读取电流为1 mA ，典型
- 待机电流10
μA,
典型
2线串行接口，我
2
C兼容
可级联多达八个装置
施密特触发器输入以抑制噪声
输出斜率控制以消除接地反弹
100 kHz和400 kHz时钟的兼容性
快速的网页和字节写入时间1毫秒，典型的
自定时擦/写周期
16字节页写缓冲
ESD保护＆ GT ; 4,000V
超过百万的擦除/写周期
数据保留和GT ; 200年
工厂编程可用
套餐包括8引脚PDIP ， SOIC ， TSSOP ，
DFN和MSOP
无铅并符合RoHS标准
温度范围：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车（ E） ： -40°C至+ 125°C
封装类型
PDIP ， MSOP
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
TEST
SCL
A0
A1
A2
SOIC ， TSSOP
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
TEST
SCL
SDA
SDA V
SS
DFN
A0 1
A1 2
A2 3
V
SS
4
8 V
CC
7测试
6 SCL
5 SDA
框图
A0 A1 A2
高压发生器
内存
控制
逻辑
I / O
控制
逻辑
XDEC
EEPROM
ARRAY
SDA ，SCL
V
CC
V
SS
感测放大器。
R / W控制
YDEC
描述：
Microchip Technology Inc.的24C01C是1K位
串行电可擦除的PROM的电压范围
的4.5V至5.5V 。该设备被组织成一个单一的
128 ×8位的存储器，并具有2线串行块
界面。低电流设计，允许与操作
典型待机和10只工作电流
μA
1
毫安，分别。该装置具有一个页面的写capabil-
性高达16字节的数据，并且具有快速的写入周期
仅1两个字节页写毫秒时间。功能
tional地址线允许多达8个的连接
在同一总线上最多8K位24C01C设备
连续的EEPROM存储器。该器件可
在标准的8引脚PDIP ， 8引脚SOIC （ 3.90毫米） ， 8-
引脚2×3 DFN ， 8引脚MSOP和TSSOP封装。
引脚功能表
名字
V
SS
SDA
SCL
V
CC
A0, A1, A2
TEST
地
串行数据
串行时钟
+ 4.5V至5.5V电源
芯片选择
测试引脚：可以接高电平，低电平或
左浮动
功能
I
2
C是飞利浦公司的商标。
2007 Microchip的技术公司
DS21201G第1页
