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1SMB10CAT3系列
瓦峰值功率齐纳
瞬态电压
抑制器
双向*
http://onsemi.com
在SMB系列是专为保护电压敏感
组件由高电压,高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力,高浪涌能力,低齐纳
阻抗和快速响应时间。在SMB系列供应
安森美半导体专有的,高性价比,高可靠性
Surmetict封装,非常适合于在通信中使用
系统,汽车,数字控制,过程控制,医疗
设备,商用机器,电源和许多其他
工业/消费应用。
特点
塑料表面贴装
齐纳管
瞬态抑制器
10-78 V, 600 W峰值功率
工作峰值反向电压范围 - 10 V至75 V
标准齐纳击穿电压范围 - 11.7 V至91.7 V
峰值功率 - 600瓦@ 1毫秒
ESD额定值3类( > 16千伏)每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
mA
上述10 V
UL 497B用于隔离回路电路保护
响应时间通常< 1纳秒
无铅包可用
SMB
案例403C
塑料
标记图
机械特性
案例:
无空隙,传递模塑,热固性塑料
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀和导线
ALYW
xxCG
G
A
Y
WW
XXC
=大会地点
=年
=工作周
=具体设备守则
=
(请参阅表第3页)
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
随手可焊
最大外壳焊接温度的目的:
260℃ 10秒
信息:
修饰的L形弯曲,提供更多的接触面积,以键合焊盘
极性:
极性带,也不会指示
安装位置:
任何
订购信息
设备
*
1SMBxxCAT3
1SMBxxCAT3G
SMB
SMB
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
*在“T3”的后缀是指一个13英寸的卷轴。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
单个设备列出了数据表第3页。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年10月 - 修订版9
出版订单号:
1SMB10CAT3/D
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