
1SMA5.0AT3系列
最大额定值
等级
峰值功耗(注1 ) @ T
L
= 25 ° C,脉冲宽度= 1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度(注2 )
减免上述75℃
热阻结到铅
DC功率耗散(注3 ) @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
从结点到环境的热阻
正向浪涌电流(注4 ) @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
400
1.5
20
50
0.5
4.0
250
40
-65到+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
R
qJL
P
D
R
qJA
I
FSM
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1. 10 X 1000
女士,
非重复性。
2. 1方形铜垫, FR -4板。
3, FR- 4电路板,采用安森美半导体的最低建议足迹,如图403B的情况下外形尺寸规格。
4. 1/2正弦波(或同等学历方波) , PW = 8.3毫秒,占空比= 4个脉冲每分钟最大。
电气特性
(T
A
= 25°C ,除非
另有说明,V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
= 30 ,一种用于所有类型) (注5 )
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
5. 1/2正弦波或同等学历, PW = 8.3毫秒,非重复性的责任
周期。
单向TVS
http://onsemi.com
2