数据表
硅晶体管
2SA1221 ， 1222
PNP硅外延晶体管
低频功率放大器
特点
适用于采用高耐压的电流，如电视机
垂直偏转输出，音频输出，和可变功率
耗材。
与2SC2958和2SC2959互补晶体管
V
首席执行官
= 140 V ： 2SA1221 / 2SC2958
V
首席执行官
= 160 V ： 2SA1222 / 2SC2959
封装图（单位：mm ）
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
P
T
T
j
T
英镑
评级
160
140/–160
5.0
500
1.0
1.0
150
55
+150
单位
V
V
V
mA
A
W
°C
°C
* PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50%
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
DC基极电压
集电极饱和电压
基本饱和电压
输出电容
增益带宽积
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
**
V
BE
**
V
CE （ SAT ）
**
V
BE （ SAT ）
**
C
ob
f
T
条件
V
CB
=
100
V，I
E
= 0
V
EB
=
5.0
V，I
C
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
100
mA
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
20
mA
I
C
=
1.0
A，I
B
=
0.2
A
I
C
=
1.0
A，I
B
=
0.2
A
V
CB
=
10
V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
V
CE
=
10
V，I
E
= 20毫安
30
100
0.6
150
0.64
0.6
1.1
24
45
分钟。
典型值。
马克斯。
200
200
400
0.7
0.9
0.3
40
V
V
V
pF
兆赫
单位
nA
nA
**脉冲测试PW
≤
350
S，占空比
≤
每脉冲2 ％
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文档编号D16143EJ1V0DS00
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
