TC648
V
DD
V
DD
V
DD
风扇
风扇
风扇
R
BASE
V
OUT
Q
1
V
OUT
R
BASE
Q
1
Q
2
V
OUT
Q
1
GND
GND
一）单双极晶体管
B）达林顿晶体管配对
GND
C） N沟道MOSFET
图5-6：
表5-1 ：
设备
MMBT2222A
MPS2222A
MPS6602
SI2302
MGSF1N02E
SI4410
SI2308
输出驱动晶体管电路拓扑结构。
晶体管和MOSFET，以Q
1
(V
DD
= 5V)
包
SOT-23
TO-92
TO-92
SOT-23
SOT-23
SO-8
SOT-23
最大。 V
BE （ SAT ）
/V
GS
(V)
1.2
1.2
1.2
2.5
2.5
4.5
4.5
分钟。
FE
50
50
50
NA
NA
NA
NA
V
首席执行官
/V
DS
(V)
40
40
40
20
20
30
60
风机电流
（MA ）
150
150
500
500
500
1000
500
建议
R
BASE
()
800
800
301
注1
注1
注1
注1
注1 ：
一系列的栅极电阻，以控制MOSFET的导通和关断时间的使用。
2002年Microchip的科技公司
DS21448C第13页
