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TC642
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大额定上市
ings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。曝光
一定要绝对最大额定值条件下围
消耗臭氧层物质可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... 6V
输入电压,任何引脚.... ( GND - 0.3V )至(v
DD
+0.3V)
封装热阻:
PDIP (R
θJA
) ............................................. 125°C / W
SOIC (R
θJA
) ............................................ 155 ° C / W
MSOP (R
θJA
) .......................................... 200 ° C / W
规定温度范围........... -40 ° C至+ 125°C
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
电气规格
电气特性:
T
& LT ;吨
A
& LT ;吨
最大
, V
DD
= 3.0V到5.5V时,除非另有规定。
符号
V
DD
I
DD
I
DD ( SHDN )
参数
电源电压
电源电流,工作
电源电流,关断模式
3.0
典型值
0.5
25
最大
5.5
1.0
单位
V
mA
A
引脚6,7打开,
C
F
= 1 μF ,V
IN
= V
C(最大值)
引脚6,7打开,
C
F
= 1 μF ,V
= 0.35V,
注1
注1
测试条件
I
IN
V
OUT
产量
t
R
t
F
t
SHDN
I
OL
I
OH
V
IN
, V
输入
V
C(最大值) ,
V
OTF
V
C( SPAN )
V
SHDN
V
REL
V
IN
, V
输入漏
V
OUT
上升时间
V
OUT
下降时间
脉冲宽度(在V
)以
清除故障模式
吸收电流在V
OUT
产量
源电流在V
OUT
产量
输入电压V
IN
或V
100 %的PWM占空比
V
C(最大值)
- V
C(分钟)
电压施加到V
to
确保关断模式
电压施加到V
to
发布关断模式
- 1.0
+1.0
A
30
1.0
5.0
50
50
微秒
微秒
微秒
mA
mA
I
OH
= 5毫安,
注1
I
OL
= 1毫安,
注1
V
SHDN
, V
HYST
特定网络阳离子,
注1
V
OL
= 10 V的%
DD
V
OH
V型= 80 %
DD
2.5
1.3
V
DD
x 0.19
2.65
1.4
2.8
1.5
V
DD
x 0.13
V
V
V
V
V
DD
= 5V
脉宽调制器
F
PWM
检测输入
V
日( SENSE )
故障输出
V
OL
t
MP
t
启动
t
DIAG
输出低电压
脉冲丢失检测定时器
启动定时器
诊断定时器
32/F
32/F
3/F
0.3
V
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
I
OL
= 2.5毫安
SENSE输入阈值
电压相对于GND
50
70
90
mV
注1
PWM频率
26
30
34
Hz
C
F
= 1.0 F
注1 :
通过设计保证,未经测试。
2002年Microchip的科技公司
DS21444C_CN第3

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