MJD31 ， MJD31C （ NPN ） ， MJD32 ， MJD32C （ PNP ）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2
T
J
= 25°C
1.6
I
C
= 0.3 A
1A
3A
电容（pF）
200
300
T
J
= +25°C
1.2
100
C
eb
70
50
C
cb
0.8
0.4
0
1
2
5
10
20
50
100
I
B
，基极电流（毫安）
200
500
1000
30
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
10
V
R
，反向电压（伏）
20 30 40
图7.集电极饱和区
图8.电容
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
单脉冲
R
QJC （T ）
= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 8.33 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC （T ）
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2 3
5
吨，时间（ ms）的
10
20
30
50
100
200 300
500
1k
图9.热响应
10
IC ，集电极电流（ AMPS ）
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
dc
WIRE BOND LIMIT
热限制
第二击穿极限
曲线适用于低于额定V
首席执行官
T
C
= 25°C单脉冲
T
J
= 150°C
MJD31 ， MJD32
MJD31C ， MJD32C
3
5 7 10
20 30
50 70 100 150
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
ms
500
ms
1毫秒
0.05
0.03
0.02
0.01
1.5 2
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作;即，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图10的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150_C 。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图9.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图10.活动区的安全工作区
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