ML145159
LANSDALE半导体公司
设计注意事项
晶振注意事项
以下选项可以被认为是提供一种REF-
erence频率兰斯代尔的CMOS频率合成器。
使用混合晶体振荡器
市售的温度补偿晶体
振荡器（ TCXO的）或晶体控制数据时钟振荡器
器提供了非常稳定的参考频率。振荡器
能够下沉和采购50 μA ，在CMOS逻辑电平
可以是直接或直流耦合到OSCIN 。在一般情况下，最高的
获得频率能力利用直接耦合
具有轨至轨（ VDD到VSS ）的方波电压
摆动。如果振荡器不具有CMOS逻辑电平上的
输出，电容性或AC耦合到OSCIN都可以使用。
OSCOUT ，无缓冲输出，应悬空。
关于温度补偿晶体振荡器和时钟数据的其他信息
振荡器，请咨询的最新版本
EEM
电子工程师主目录，
该
黄金书，
或西米
LAR出版物。
设计一个片外参考
使用ICS用户可以设计出一个片外晶体振荡器
专为晶体振荡器的应用开发，如
作为ML12061 MECL设备。从参考信号
MECL装置被交流耦合到OSCIN 。对于大振幅
信号（标准CMOS逻辑电平） ，直流耦合被使用。
OSCOUT ，无缓冲输出，应悬空。在gen-
址，是用所得到的最高频率的能力
直接耦合具有轨到轨电压摆动的方波。
使用片上振荡器电路
片上放大器（一个数字反相器）以及一个AP-
propriate晶体可用于提供一个参考源频
昆西。一个基本模式晶体并联谐振的
期望的工作频率，应连接，如图
网络连接gure 10 。
对于VDD = 5V晶体应当为指定的装载
,
电容CL不超过32 pF，适用于频率
到大约8 MHz ， 20 pF对于在8区的频率
到15兆赫和10 pF适用于更高的频率。这些指南 -
线提供IC电容之间的合理妥协
在流浪和IC tance ，驱动能力，淹没变化
输入/输出电容，和现实的CL值。假设
R1 = 0
.
分流负载电容CL ，横跨呈现
晶体可以被估计为：
CL = CinCout +钙+ CSTRAY + C1
C2
C1 + C2
CIN + Cout的
哪里
霉素= 5 pF的（参见图11）
COUT = 6 pF的（见图11）
钙= 1 pF的（参见图11）
C1和C2 =外部电容（参见图10）
CSTRAY =总的等效外部电路的杂散
电容的通过
水晶码头
该振荡器可以通过一个上频“微调”
部分或全部C1变量。水晶和相关的COM
ponents必须位于尽可能接近的OSCIN和
OSCOUT引脚，以尽量减少失真，杂散电容，杂散
电感，并启动稳定时间。电路的杂散电容
itance也可通过加入适当的杂散处理
价值为CIN和Cout的值。对于这种方法，在
术语CSTRAY变为零，在上述表达式为CL 。
功率消耗在的有效串联电阻
晶，再在图12的最大驱动电平指定
由晶体制造商表示最大应力
晶能承受而不损坏或过度转向
工作频率。 R1在图10限制了驱动电平。该
使用R 1是没有必要的，在大多数情况下。
要验证最大直流电源电压不过
驱动晶体，监视输出频率的一个函数
电压OSCOUT 。 （应注意尽量减少负载
ING ）的频率应略微增加，因为DC支持
帘布层的电压增大。一个过载晶体将减小
频率或变得不稳定的增加而电源电压
年龄。操作电源电压必须减少或R1必须
在值增加，如果在过载条件存在。该
用户应注意，振荡器的起振时间proportion-
人到R1的值。
通过与使用提供晶体的过程
CMOS反相器，很多水晶制造商已经开发
专长CMOS振荡器的设计与晶体。讨论
这样制造商可以证明是非常有用的。见表1 。
*在某些情况下被删除。见文。
图10.皮尔斯晶体振荡器电路
图的11寄生电容
放大器和CSTRAY
注：值由水晶制造商提供的
（并行谐振晶体） 。
图12.等效水晶网
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