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DS80C400网络微控制器
发送/接收数据包缓冲区内存（ 8KB）
在DS80C400以太网控制器采用的8kB内部SRAM作为发送/接收数据包缓冲区内存。这
SRAM读/写访问的，通过使用MOVX指令的CPU数据存储器。该BCU也可以访问
对该SRAM ，并自动写入/读出时，它需要存储或检索以太网包缓冲器存储器
数据包信息。所述的8kB的SRAM的逻辑MOVX地址范围由IDM1确定：的0位
MCON （ C 6 H ） SFR 。
表16
显示可用的地址范围设置。
当用于以太网分组的缓冲存储器，所述的8kB SRAM被逻辑地配置到（32）页的64个字
每个，其中，一个字由4个字节。这些32个页面可以太网发送之间动态地分配
和接收缓冲存储器。以太网缓冲器大小的五个最低显著位（ EBS ; E5H ）的SFR指定如何
许多网页都分配给接收缓冲存储器。 32的其余页作为发送缓冲区
内存。需要注意的是发送和接收的数据分组可以跨越多个页面。的复位默认状态
以太网缓冲区大小选择位（ EBS.4 - EBS.0 ）为00000B ，其配置所有32页的发送缓冲区
内存。作为一个例子，设定EBS.4 - EBS.0 = 10000B会导致页0-15 （16页）被配置
作为接收缓冲存储器和16-31页（16页）被配置为发送缓冲器存储器。的设置
11111b留下了一个页面（第31页），用于发送缓冲的内存，并配置为0-30页（ 31页）
接收缓冲存储器中。改变的发送/接收缓冲器大小设置刷新接收缓冲器中的内容
和接收FIFO 。
图10
为8kB的缓冲存储器映射和寻址方案的示意图。
表16.数据包缓冲存储器位置
IDM1 ： 0
（ MCON.7 ， MCON.6 ）
00
01
10
11
内部的8kB SRAM单元
（以太网数据包缓冲存储器）
00E000h00FFFFh
000000h001FFFh
FFE000hFFFFFFh
版权所有
图10.发送/接收数据缓冲存储器
8KB的片内SRAM
第0页
第1页
第1页
状态字（ WORD 0 ）
WORD 1
WORD 2
.
.
.
.
接受
卜FF器
（N页）
.
.
.
.
.
.
WORD 63
PAGE （N - 2 ）
缓冲区大小
环境
(EBS.4EBS.0)
发送
卜FF器
（ 32 - n页）
PAGE （N - 1 ）
n页
缓冲存储器地址（ 24位）
（每IDM1 ： 0 ）
页面
字
字节
.
.
.
第31页
例：第1页第2 WORD ，BYTE 3
xxxxxxxx xxx
00001
000010
11
64 96
