2N7000
图1.在国家特色
V
GS
10.0 V
8.0 V
6.0 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
底部： 3.0 V
上图：
如图2传输特性
10
0
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
10
0
150 C
-55 C
o
o
※
注意事项：
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25
℃
0
1
25 C
-1
o
※
注意事项：
1. V
DS
= 10V
2. 250μ s脉冲测试
10
10
10
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
3.0
图4.在国家电流与
允许外壳温度
R
DS （ ON）
,
漏源导通电阻[ mΩ的]
I
DR
，反向漏电流[ A]
2.5
10
0
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
2.0
150
℃
25
℃
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
1.5
※
注：t
J
= 25
℃
1.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
50
C
国际空间站
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
=C
ds
+C
gd
C
RSS
=C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
GS
，栅源电压[V]
40
10
V
DS
= 30V
8
电容[ pF的]
30
※
注意事项：
1. V
GS
= 0V
2， F = 1MHz的
V
DS
= 48V
6
C
国际空间站
20
C
OSS
10
4
C
RSS
0
2
※
注：我
D
= 200毫安
0
5
10
15
20
25
30
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
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