MPSW45 ， MPSW45A
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
V
BE
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30伏直流电，我
E
= 0)
(V
CB
= 40 VDC ，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 10 VDC ，我
C
= 0)
基本特征
（注1 ）
直流电流增益
(I
C
= 200 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 2.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
(I
C
= 1.0 ADC ，我
B
= 2.0 MADC ）
基地发射极电压上
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 200 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2.0%.
f
T
C
cb
100
6.0
兆赫
pF
h
FE
25,000
15,000
4,000
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
150,000
1.5
2.0
2.0
VDC
VDC
VDC
MPSW45
MPSW45A
I
EBO
V
（ BR ） CES
MPSW45
MPSW45A
V
（ BR ） CBO
MPSW45
MPSW45A
V
（ BR ） EBO
I
CBO
100
100
100
NADC
50
60
12
VDC
NADC
40
50
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
R
S
i
n
e
n
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
http://onsemi.com
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