飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF21030
启12 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为PCN和PCS基站应用与频率
2000年至2200年兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
宽带CDMA性能： - 45分贝ACPR @ 4.096兆赫， 28伏
输出功率 - 3.5瓦
功率增益 - 14分贝
效率 - 15 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2110兆赫， 30瓦CW
输出功率
特点
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度对信息， 40μ “名义。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每32毫米， 13英寸卷筒。
MRF21030LR3
MRF21030LSR3
2200兆赫， 30 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465E - 04 ，风格1
NI - 400
MRF21030LR3
CASE 465F - 04 ，风格1
NI - 400S
MRF21030LSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
83.3
0.48
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
2.1
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF21030LR3 MRF21030LSR3
1
RF设备数据
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