CS5157
典型的应用程序，其中V
CC1
= V
CC2
= 12 V和5.0 V是
用作源的调节器的输出电流，该
下面的栅极驱动提供;
VGATE （H）的
+
12 V
*
5.0 V
+
7.0 V， VGATE （ L）
+
12 V
COFF
+
Perioid
(1
*
占空比）
4848.5
其中：
期
+
1
开关频率
（参见图19 ）
肖特基二极管的同步MOSFET
M 1.00
μs
追踪3 = V
门（H）的
（ 10 V / DIV 。 ）
数学1 = V
门（H）的
5.0 V
IN
跟踪4 = V
门（L）的
（ 10 V / DIV 。 ）
跟踪2 =电感开关节点（ 5.0 V / DIV 。 ）
肖特基二极管可被放置在平行于
同步MOSFET后进行电感电流
打开开关MOSFET关闭，以提高工作效率。
该CS5157参考电路不使用此设备，由于
以它的优秀设计。相反，的体二极管
同步MOSFET用于降低成本和
导通，电感电流。对于在设计工作
200千赫兹左右，低的非重叠时间加上
肖特基正向恢复时间可能会做出的好处
此设备不值得的额外费用（参见图8 ，
信道2）。在同步的功率耗散
MOSFET由于体二极管导通可通过估计
下面的等式：
动力
+
VBD
ILOAD
导通时间
开关频率
图19. CS5157栅极驱动波形抒写
轨至轨摆动
其中，V
BD
= MOSFET体的正向压降
二极管。对于CS5157演示板，如图
图8 ;
动力
+
1.6 V
13 A
100纳秒
233千赫
+
0.48 W
的MOSFET的性能的最重要的方面是
RDS
ON
，其效果调节器效率和MOSFET
热管理需求。
由MOSFET的功率耗散可估计
如下;
开关MOSFET ：
动力
+
ILOAD2
RDSON
占空比
这是只有1.3 ％的36.4 W的被传递到
负载。
输入和输出电容器
同步MOSFET ：
动力
+
ILOAD2
RDSON
(1
*
占空比）
占空比=
VOUT
)
（ ILOAD
SYNCH FET的RDSON ）
VIN
)(I
SYNCH FET的RDSON LOAD ）
*
（开关FET的RDSON ILOAD ）
关闭时间电容（C
关闭
)
这些部件必须被选择并小心地放在
以得到最佳结果。电容的选择应
提供可接受的纹波输入电源线和
调节器的输出电压。输入密钥规范
电容是其额定纹波，而ESR是重要的
输出电容器。为了获得最佳的瞬态响应，一个组合
低价值/高频率和大容量电容的放置
靠近负载是必需的。
输出电感
电感器应根据它的电感来选择
电流能力，并且直流电阻。增加
电感值会降低输出电压纹波，但
降解的瞬态响应。
热管理
对于电源散热考虑
MOSFET和二极管
了C
关闭
定时电容设置的调节关断时间：
花花公子
+
COFF
4848.5
当V
FFB
销是小于1.0伏，电流充电
了C
关闭
电容减小。延长关闭时间可以是
计算公式如下：
花花公子
+
COFF
24, 242.5
关闭时间将通过T确定
关闭
时间，或
超时计时器，以较长者为准。
也可以使用用于占空比前述方程
计算出调节器的开关频率，并选择
C
关闭
定时电容：
为了保持良好的可靠性，其结
所述半导体元件的温度应
保持在最大为150 ℃或更低。热
为满足这一阻抗（结到环境）要求
要求可以计算如下：
热阻抗
+
TJUNCTION （MAX）中
*
TAMBIENT
动力
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