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CM2835
300毫安CMOS LDO
电气特性
T
A
= + 25 ℃ ;除非另有说明
CM2835
分钟。
注1
I
O
= 1mA至300毫安
I
O
= 300毫安，
V
OUT
=V
O（ NOM ）
-1.5%,
1.2V<V
O（ NOM ）
≤
2.0V
2.0V<V
O（ NOM ）
≤
2.5V
2.5V<V
O（ NOM ）
300
300
450
30
30
-0.1
0.02
0.2
150
30
40
I
O
= 100毫安
C
O
= 2.2μF陶瓷
I
O
= 100毫安
电源抑制
PSRR
C
O
= 2.2μF陶瓷
C
BYP
=0.01μF
输出电压噪声
输出电压噪声
注： 1 。
V
IN（分钟）
= V
OUT
+ V
降
参数
输入电压
输出电压精度
输入输出电压差
输出电流
电流限制
静态电流
接地引脚电流
线路调整
负载调整率
过温关闭
在温度迟滞
V
OUT
温度COEF网络cient
电源抑制
符号
V
IN
V
OUT
V
降
I
O
I
LIM
I
Q
I
GND
REG
LINE
REG
负载
OTS
OTH
TC
测试条件
典型值。
马克斯。
7
1.5
1300
800
300
单位
V
%
mV
mA
mA
-1.5
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
V
OUT
＆ GT ; 1.2V
I
O
= 0毫安
I
O
= 1mA至300毫安
I
OUT
= 5毫安，V
IN
=V
OUT
1到V
OUT
+2
I
O
= 1mA至300毫安
35
50
0.1
1
μA
μA
%
%
℃
℃
PPM / °
dB
f=1kHz
f=10kHz
f=100kHz
f=1kHz
f=10kHz
f=100kHz
C
O
=2.2μF
C
O
=100μF
C
O
=2.2μF
C
O
=100μF
60
50
40
75
55
30
30
20
30
20
μVRMS
μVRMS
dB
PSRR
eN
eN
F = 10Hz至100kHz
I
O
= 10毫安，C
BYP
=0μF
F = 10Hz至100kHz
I
O
= 10毫安，C
BYP
=0.01μF
2006年1月23日Rev1.2
冠军微电子公司
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