SGB - 4333 DC - 3GHz的有源偏置增益模块
详细性能表： VCC = 3V ， IC = 56毫安， T = 25℃ ， Z = 50欧姆
符号
G
OIP3
P1dB
IRL
ORL
S12
NF
参数
小信号增益
输出3阶截取点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
单位
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
17.3
13.4
21.1
5.0
100MHz
18.1
500MHz
17.8
26.5
12.0
15.6
12.7
21.5
3.5
850MHz
17.5
25.0
11.5
14.2
12.0
21.9
3.5
1950MHz
14.5
22.5
10.0
10.5
10.5
22.7
4.0
2400MHz
14.0
21.0
9.5
10.7
11.0
22.8
4.4
8.1
12.0
22.9
5.0
3500MHz
11.8
引脚输出说明
针＃
1,2,4, 6,
7,8,11,
12,14
3
5
10
13
16
后台
SIDE
功能
NC
RFIN
GND
RFOUT
VBIAS
VCC
GND
描述
这些是无连接的引脚。让他们在PC板上无关。
射频输入引脚。直流电压不应在外部连接到该引脚
一个额外的接地引脚，其连接到所述背面焊盘裸露。连接是可选的。
RF输出引脚。偏压被施加到所述达林顿阶段通过这个引脚。
该引脚源从有源偏置电路的电流。连接到引脚10通电感扼流圈。
这为Vcc的有源偏置电路。
背面的裸露焊盘是其主要的电气接地，需要在PC板上GND多个过孔。它
也是主要的散热路径。
简化的设备示意图
16
15
14
13
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
绝对最大额定值
参数
价值
120
5
0.4
-40至+85
20
-40到+150
+150
单位
mA
V
W
C
DBM
C
C
1
2
活跃
BIAS
电流（IC数量）
12
11
10
装置的电压（V
D
)
功耗
操作焊接温度（T
L
)
RF输入功率
存储温度范围
工作结温（T
J
)
3
4
9
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
该
J-升
5
6
7
8
303南方科技法庭，布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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EDS- 103087版本G
