Si1012R/X
Vishay Siliconix公司
典型特征（T
A
= 25°C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
1000
T
J
= 125_C
r
DS （ ON）
导通电阻（
W
)
I
S
源电流（mA ）
5
导通电阻与栅极至源极电压
4
I
D
= 350毫安
3
I
D
= 200毫安
2
100
T
J
= 25_C
10
T
J
=
55_C
1
1
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
6
V
SD
源极到漏极电压（V ）
V
GS
栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压变化与温度的关系
0.3
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
I
D
= 0.25毫安
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
50
I
GSS
（MA ）
2.0
1.5
1.0
3.0
2.5
I
GSS
与温度的关系
V
GS
= 4.5 V
0.5
0.0
50
25
0
25
50
75
100
125
25
0
25
50
75
100
125
T
J
温度（℃）
T
J
温度（℃）
BV
GSS
与温度的关系
BV
GSS
栅极 - 源极击穿电压（ V）
7
6
5
4
3
2
1
0
50
25
0
25
50
75
100
125
T
J
温度（℃）
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文档编号： 71166
S- 50366 -REV 。 B， 28 -FEB -05
4
