SPICE器件模型SiA414DJ
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
通态漏电流
a
V
GS （ TH）
I
D（上）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
DS
≤
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 9.7 A
漏源导通电阻
a
符号
测试条件
模拟
数据
0.57
423
0.009
0.011
0.013
49
0.84
测
数据
单位
V
A
0.009
0.011
0.013
50
0.80
S
V
r
DS （ ON）
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 9 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 8.1 A
正向跨导
正向电压
a
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 6 V，I
D
= 9.7A
I
S
= 10 A
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
= 4 V, V
GS
= 5 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 4 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
1872
608
447
17
16
V
DS
= 4 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
2.5
6.5
1800
650
450
21
19
2.5
6.5
nC
pF
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
2
文档编号： 69167
S- 71632Rev 。 A， 06 - 8 - 07
