新产品
SiR890DP
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
1
注意事项：
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 70 ° C / W
t
1
t
2
0.01
10
-4
单脉冲
10
-3
10
-2
10
-1
1
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
10
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
100
1000
归瞬态热阻抗，结到环境
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?68644 。
www.vishay.com
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文档编号： 68644
S- 81214 -REV 。 A， 02军， 08
