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APTM10TAM09FP
TRIPLE相脚
MOSFET功率模块
VBUS1
VBUS2
VBUS3
V
DSS
= 100V
R
DSON
= 09mΩ最大@ TJ = 25°C
I
D
= 139A @ T C = 25°C
应用
焊接器
开关电源
不间断电源
电机控制
G1
G3
G5
S1
U
S3
V
S5
W
G2
G4
G6
S2
0/VBUS1
S4
0/VBUS2
S6
0/VBUS3
特点
功率MOS V
FREDFETs
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速内在二极管
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
非常低的（12毫米）简介
每条腿可以很容易地并联以实现阶段
三倍的电流能力腿
模块可以被配置为一个三相桥
模块可以被配置为一个升压后跟一个
全桥
最大额定值
100
139
100
430
±30
9
390
100
50
3000
单位
V
2004年9月，
1–6
APTM10TAM09FP - 牧师0
VBUS 1
VBUS 2
VBUS 3
G1
0 / 1 VBUS
S1
S2
G2
0 / 2 VBUS
G3
S3
S4
G4
0 / 3 VBUS
G5
S5
S6
G6
U
V
W
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
A
V
m
W
A
mJ
T
c
= 25°C
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
