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APTM10DAM05T
升压斩波
MOSFET功率模块
VBUS
VBUS检测
NTC2
V
DSS
= 100V
R
DSON
= 4.5mΩ典型值@ TJ = 25°C
I
D
= 278A @ T C = 25°C
应用
AC和DC电机控制
开关电源
功率因数校正
特点
功率MOS V
MOSFET的
- 低R
DSON
- 低投入和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 非常坚固
开尔文源驱动器，方便
极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接引线架
内部热敏电阻的温度监测
高集成度
好处
突出表现在高频率运行
直接安装到散热器（独立包装）
超低的结到外壳热阻
无论是电源线和信号对可焊接端子
简单的PCB安装
低调
CR1
OUT
Q2
G2
S2
0 / VBU S
NTC1
G2
S2
OUT
VBUS
0/VBUS
OUT
VBUS
SENSE
S2
G2
NTC2
NTC1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
R
DSON
P
D
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏极 - 源极击穿电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅 - 源电压
漏 - 源极导通电阻
最大功率耗散
雪崩电流（重复，不重复）
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
mJ
这些器件对静电放电敏感。适当汉鼎程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
1-6
APTM10DAM05T-版本0 2005年5月
T
c
= 25°C
最大额定值
100
278
207
1100
±30
5
780
100
50
3000
单位
V
A
V
m
W
A
