紫外线增强硅光电二极管

SD 200-13-23-242

包装尺寸英寸[毫米]

包装尺寸英寸[毫米]

.208 [5.28]

.193 [4.90]

.100 [2.54]

.300 [7.62]

脚圈

.435 [11.05]

.425 [10.80]

.490 [12.45]

.480 [12.19]

95°

VIEWING

角

1

.555 [14.10]

.545 [13.84]

2

3X .018 [0.46]

3

0.024 [ 0.60 ] MAX

GLASS上述盖子顶部边缘

3X 1.50 [38.1]

1阳极

2外壳接地

.200 [5.08]

活动区域

3阴极

概要

芯片尺寸英寸[毫米]

芯片尺寸英寸[毫米]

.222 [5.64]

方

TO- 8封装

TO- 8封装

特点

低噪音

紫外线增强

高分流电阻

高响应

描述

该

SD 200-13-23-242

是紫外线增强硅PIN

封装在一个密闭的TO- 5金属封装。

应用

仪表

=工业

医疗

绝对最大额定值

（ TA ）= 23 ° C除非另有说明

符号

V

BR

T

英镑

T

O

T

S

参数

反向电压

储存温度

工作温度

焊接温度*

-55

-40

民

最大

75

+150

+125

+240

单位

响应度（ A / W）

0.60

0.50

0.40

0.30

0.20

0.10

0.00

200

250

光谱响应

V

°C

°C

°C

300

350

400

450

500

550

600

650

700

750

800

850

900

950

1000

1050

1100

*从案例最多3秒1/16英寸。

波长（nm ）

光电特性评级

（ TA ）= 23 ° C除非另有说明

符号

I

D

R

SH

C

J

LRANGE

R

V

BR

NEP

t

r

特征

暗电流

分流电阻

结电容

光谱应用范围

响应

击穿电压

噪声等效功率

响应时间**

测试条件

V

R

= 5V

V

R

= 10 mV的

V

R

= 0 V,

f

= 1兆赫

V

R

= 5 V,

f

= 1兆赫

现货扫描

l=

为365nm ，V

R

= 0 V

I = 10

μA

V

R

= 0V @

l=365nm

RL = 50

,V

R

= 0 V

RL = 50

,V

R

= 10 V

民

77

345

102

250

0.14

1100

0.18

10

8.9x10

-14

190

13

典型值

6.0

最大

30

单位

nA

MW

pF

nm

/ W

V

W/

√

Hz

nS

**的10 ％至90％的响应时间被指定在660nm的波长的光。

在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格

如有更改，恕不另行通知。

高级Photonix公司1240马路Acaso ，卡马里奥CA 93012 电话（ 805 ） 987-0146 传真：（ 805 ） 484-9935

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