SFH6135 / SFH6136
威世半导体
产量
参数
电源电压
输出电压
发射极 - 基极电压
输出电流
最大输出电流
基极电流
热阻
功耗
T
AMB
= 70 °C
测试条件
符号
V
S
V
O
V
EBO
I
O
I
O
I
B
R
thJA
P
DISS
价值
- 0.5-30
- 0.5-25
5.0
8.0
16
5.0
300
100
日前，Vishay
单位
V
V
V
mA
mA
mA
K / W
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
污染度（ DIN VDE
0110)
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE 0303第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
马克斯。
≤10
S，浸焊
≥
从案例0.5毫米距离
底部
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
2
≥
7.0
≥
7.0
175
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 125
- 55至+ 100
260
°C
°C
°C
mm
mm
单位
V
RMS
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
温度COEF网络cient
正向电压
测试条件
I
F
= 16毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
= 16毫安
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
V
F
/T
AMB
3.0
0.5
125
1.7
10
民
典型值。
1.6
最大
1.9
单位
V
V
A
pF
毫伏/°C的
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2
文档编号83668
修订版1.4 ， 27 -APR- 04
