
SFH6942
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
浪涌集电极电流
总功耗
t
P
& LT ; 1毫秒
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
FSM
P
DISS
价值
70
7
10
20
20
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
隔离测试电压(间
发射器和检测器,参考
气候DIN 40046第2部分,
十一月74 )
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ,第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 100 V,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 100 V,T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度,浸
加焊回流焊
过程的
T = 10秒。最大
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
t为1秒。
符号
V
ISO
价值
1768
单位
V
RMS
≥
4
≥
4
175
≥
10
11
≥
10
12
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
mm
mm
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
热阻
V
R
= 3 V
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
测试条件
I
F
= 5毫安
符号
V
F
I
R
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.25
0.01
5
1000
10
最大
单位
V
A
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极 - 发射极电容
热阻
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 4 V
测试条件
I
CE
= 10 A
I
EC
= 10 A
V
CE
= 5 V , F = 1兆赫
符号
V
首席执行官
V
ECO
C
CE
R
thJA
I
首席执行官
民
70
7
6
500
50
典型值。
最大
单位
V
V
pF
K / W
nA
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文档编号81290
1.0版, 20 -APR- 06