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怀特电子设计
WV3HG64M72EER-PD4
高级*
512MB - 64Mx72 DDR2 SDRAM注册的SO- DIMM ，W / PLL
特点
注册的200引脚（ SO -DIMM ） ，小外形双
列直插式内存模块
支持ECC检测和校正
快速数据传输率： PC2-6400 * ， PC2-5300 * ，
PC2-4200和PC2-3200
V
CC
= V
CCQ
= 1.8V ±0.1V
V
CCSPD
= 1.7V至3.6V
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项
四位预取架构
多个内部器件银行并发
手术
差分时钟输入（ CK ， CK ＃ ）
可编程CAS＃延迟（CL） ： 3，4， 5 * ， 6 *
发布于CAS＃附加延迟：0， 1，2， 3和4
可调节的数据输出驱动强度
片上端接（ ODT ）
7.8μs平均周期刷新间隔
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
采用512MB DDR2 SDRAM组件
自动&自刷新（ 64毫秒： 8,192循环刷新）
金缘接触
单排名
符合RoHS
JEDEC提出的针脚
包
200针SO-DIMM ： 30.00毫米（ 1.181" ） TYP 。
描述
该WV3HG64M72EER是64Mx72双数据
率DDR2 SDRAM高密度模块。此内存
模块由9 64Mx8位有4个DDR2银行
同步DRAM的FBGA封装，安装在
200针SO -DIMM FR4基板。
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
注：可用性咨询工厂：
供应商源控制选项
工业温度选项
工作频率
PC2-3200
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
*咨询工厂的可用性
PC2-4200
266MHz
4-4-4
PC2-5300*
333MHz
5-5-5
PC2-6400*
400MHz
6-6-6
200MHz
3-3-3
2006年4月
第1版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
