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怀特电子设计
WV3HG264M64EEU-D6
先进
DDR2我
CC
规格和条件
符号建议条件
I
CC0*
经营一家银行主动预充电电流;
t
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RC
= t
RC
(I
CC
), t
RAS
= t
RAS
MIN （我
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效的
命令;地址总线输入的切换;数据总线输入切换
经营一家银行主动阅读的预充电电流;
I
OUT
= 0毫安; BL = 4， CL = CL（我
CC
） ，AL = 0;吨
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RC
= t
RC
(I
CC
), t
RAS
= t
RAS MIN
(I
CC
),
t
RCD
= t
RCD
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效命令的;地址总线输入
在切换;数据模式是相同的，因为我
CC4W
预充电掉电电流;
所有银行闲置;吨
CK
= t
CK
(I
CC
） ; CKE低;其它的控制和地址总线输入是稳定的;
数据总线输入浮动
预充电安静的待机电流;
所有银行闲置;吨
CK
= t
CK
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃高;其它的控制和地址总线
投入是稳定的;数据总线输入浮动
预充电待机电流;
所有银行闲置;吨
CK
= t
CK
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃高;其它的控制和地址总线
输入的切换;数据总线输入切换
主动掉电电流;
所有银行开放;吨
CK
= t
CK
(I
CC
） ; CKE低;其他控制
和地址总线输入是稳定的;数据总线输入是
漂浮的
快速PDN退出刘健（ 12 ） = 0
慢PDN退出刘健（ 12 ） = 1
806
待定
665
744
534
704
403
704
单位
mA
I
CC1*
待定
864
824
824
mA
I
CC2P**
待定
128
128
128
mA
I
CC2Q**
待定
560
480
480
mA
I
CC2N**
待定
640
480
192
560
480
192
560
480
192
mA
mA
mA
待定
I
CC3P**
待定
I
CC3N**
当前待机电流;
所有银行开放;吨
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RC
= t
RC
(I
CC
), t
RAS
= t
RAS MIN
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高
有效的命令之间;其他的控制和地址总线输入切换;数据总线
输入切换
工作突发写入电流;
所有银行开放，连续的突发写入; BL = 4， CL = CL（我
CC
） ，AL = 0;吨
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RAS
=
t
RAS MAX
(I
CC
), t
RP
= t
RP
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效命令的;地址
总线输入切换;数据总线输入切换
工作突发读取电流;
所有银行开放，连续的突发读取，我
OUT
= 0毫安; BL = 4， CL = CL（我
CC
） ，AL = 0;吨
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RAS
= t
RAS MAX
(I
CC
), t
RP
= t
RP
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效的
命令;地址总线输入切换;数据模式是相同的，因为我
CC4W
连拍自动刷新电流;
t
CK
= t
CK
(I
CC
） ;在每个T刷新命令
RFC
(I
CC
）区间; CKE为高电平， CS ＃为高
有效的命令之间;其他的控制和地址总线输入切换;数据总线
输入切换
自刷新电流;
CK和CK ＃在0V ; CKE 0.2V ;其他的控制和
地址总线输入浮动;数据总线输入是
漂浮的
待定
880
800
800
mA
I
CC4W**
待定
1184
1024
944
mA
I
CC4R*
待定
1224
1064
944
mA
I
CC5B**
待定
2400
2240
2240
mA
I
CC6*
正常
待定
128
128
128
mA
I
CC7*
经营银行交织读取电流;
所有银行交错读取，我
OUT
= 0毫安; BL = 4， CL = CL（我
CC
） ， AL = T
RC
D（我
CC
)-1*t
CK
(I
CC
); t
CK
=
t
CK
(I
CC
), t
RC
= t
RC
(I
CC
), t
RRD
= t
RRD
(I
CC
), t
RCD
= 1*t
CK
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平之间
有效的命令;地址总线的投入是稳定的过程中取消选择;数据总线输入是
切换。
待定
1824
1824
1824
mA
*数值计算为一个模块级的THES经营状况，以及所有其他模块位居我
CC2P
（ CKE LOW ）模式。
**计算值重新佛罗里达州ECTS所有模块的行列，此操作条件
注意事项：
I
CC
用计算出特定网络阳离子
三星
组件。其他制造商的DRAM可以具有不同的值。
2005年12月
第0版
6
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