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怀特电子设计
参考V所有电压
SS
等级
参数
电源电压
电源电压为DLL
电源电压输出
输入参考电压
终止电压
符号
V
CC
V
CCL
V
CCQ
V
REF
V
TT
分钟。
1.7
1.7
1.7
0.49*V
CCQ
V
REF
-0.04
TYPE
1.8
1.8
1.8
0.50*V
CCQ
V
REF
WV3HG64M72AER-AD6
先进
建议的直流工作条件
马克斯。
1.9
1.9
1.9
0.51*V
CCQ
V
REF
+0.04
单位
V
V
V
V
V
笔记
4
4
1, 2
3
没有特定网络连接C设备V
CC
电源电压要求SSTL- 1.8合规性。但在所有条件下V
CCQ
必须小于或等于V
CC
.
1. V的值
REF
可以由用户进行选择，以提供最佳的噪声容限的系统。 V典型值
REF
isexpected为约0.5 x垂直
CCQ
该发射
设备和V
REF
预计跟踪变化为V
CCQ
.
2.峰值到峰值的V AC噪音
REF
可能不超过± 2 ％的V
REF
（直流） 。
3. V
TT
发射装置必须跟踪V
REF
的接收装置。
4. AC参数测量V
CC
, V
CCQ
和V
CCDL
绑在一起。
绝对最大额定值
SSTL_1.8V
符号
V
CC
V
CCQ
V
CCL
V
IN
, V
OUT
T
英镑
参数
在V电压
CC
引脚相对于V
SS
在V电压
CCQ
引脚相对于V
SS
在V电压
CCL
引脚相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
储存温度
等级
- 1.0 V - 2.3 V
- 0.5 V - 2.3 V
- 0.5 V - 2.3 V
- 0.5 V - 2.3 V
-55到+100
单位
V
V
V
V
C
笔记
5
5
5
5
5, 6
5.强调大于下ìAbsolute最大Ratings可能会对设备造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
6.储存温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。为测量条件，请参阅JESD51-2标准。
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， V
CC
= V
CCQ
= 1.8V
参数
输入电容： CK ， CK ＃
输入电容： CKE ， CS ＃
输入电容：地址。 RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃
输入/输出电容： DQ ， DQS ， DM ， DQS ＃
符号
CCK
CI
1
CI
2
CI
O
最大
11
12
12
10
单位
pF
pF
pF
pF
2005年3月
第1版
4
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
