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怀特电子设计
WV3HG64M64EEU-D6
高级*
512MB - 64Mx64 DDR2 SDRAM UNBUFFERED
特点
240针，双列直插存储器模块
快速数据传输率： PC2-6400 * ， PC2-5300 * ，
PC2-4200和PC2-3200
采用800 * ， 667 * ， 533和400 MT / s的DDR2
SDRAM组件
V
CC
= V
CCQ
= 1.8V ±0.1V
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项
四位预取架构
可编程CAS＃延迟（CL） ： 3 ，4，5和6中
片上端接（ ODT ）
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
金缘接触
单排名
符合RoHS
封装选项
240针DIMM
PCB - 30.00毫米（ 1.181" ） TYP
描述
该WV3HG64M64EEU是64Mx64双数据
率DDR2 SDRAM高密度模块。此内存
模块由8 64Mx8位有4个DDR2银行
同步DRAM的FBGA封装，安装在
240针DIMM FR4基板。
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
注：可用性咨询工厂：
供应商源控制选项
工业温度选项
工作频率
PC2-3200
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
*咨询工厂的可用性
PC2-4200
266MHz
4-4-4
PC2-5300*
333MHz
5-5-5
PC2-6400*
400MHz
6-6-6
200MHz
3-3-3
2005年12月
第0版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
