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怀特电子设计
输入/输出电容
T
A
= 25 ° C，F = 100MHz的
参数
输入电容（ A0 A13 ， BA0 BA1 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容CKE0 ， ODT
输入电容CS0 ＃
输入电容（ CK0 ， CK0 ＃ ， CK1 ， CK1 ＃ ）
输入电容（ DM0 DM7 ） ， （ DQS0 DQS7 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
(667)
C
IN5
(533)
输入电容（ DQ0 DQ63 ）
C
OUT1
(667)
C
OUT1
(533)
注意事项：
AC特定连接的阳离子是基于
三星
组件。其它DRAM制造特定网络连接的阳离子可以是不同的。
WV3HG64M64EEU-D4
先进
民
12
12
12
8
6.5
6.5
6.5
6.5
最大
20
20
20
12
7.5
8
7.5
8
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
工作温度条件
参数
工作温度
符号
豪饮者
等级
0
°
至85 ℃
单位
°C
笔记
1, 2
注意事项：
1.工作温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。为measuremnet条件，请参阅JEDED JESD51.2
2.在0 °C - 85°C ，工作温度范围内，所有的DRAM特定连接的阳离子将得到支持。
直流输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
符号
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
民
V
REF
+ 0.125
-0.300
最大
V
CC
+ 0.300
V
REF
- 0.125
单位
V
V
AC输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压DDR2-400 & DDR2-533
输入低电平（逻辑1 ）电压DDR2-667
输入低电平（逻辑0 ）电压DDR2-400 & DDR2-533
输入低电平（逻辑0 ）电压DDR2-667
符号
V
IH
（DC）的
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IL
（DC）的
民
V
REF
+ 0.250
V
REF
+ 0.200
-
-
最大
-
-
V
REF
- 0.250
V
REF
- 0.200
单位
V
V
V
V
2006年5月
第2版
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
