UTC 2SD1898
1000
NPN外延硅晶体管
图2.Grounded发射
输出特性
Ta=25
℃
1.0
集电极电流： IC （A）
0.8
0.6
2mA
0.4
1mA
0.2
I
B
=0mA
2
4
6
8
10
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图4.Collector - 发射极饱和
电压电流vs.collector
Ta=25
℃
6mA
5mA
4mA
3mA
电气特性曲线
图1.Grounded发射
传播特性
V
CE
= 5V
Ta=25
℃
集电极电流： IC （MA ）
100
10
1
0.1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
基地发射极电压： V
BE
(V)
图3.DC电流增益
vs.collector电流
Ta=25℃
0
0
CE
（SAT）
( V)
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
集电极饱和电压： V
直流电流增益： hFE参数
1000
V
CE
= 3V
100
V
CE
= 1V
IC / I
B
=20/1
IC / I
B
=10/1
0
10
100
1000
集电极电流： IC （MA ）
图6.CollectorOutput电容
vs.collector - 基极电压
Ta=25
℃
f=1MHz
I
E
=0A
I
c
=0A
0
0
10
100
集电极电流： IC （MA ）
图5.增益带宽积
vs.emitter电流
1000
1000
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
发射极输出电容：玉米棒（PF ）
Ta=25
℃
500
跃迁频率：FT （兆赫）
200
100
50
20
10
5
2
1
2
5 10 20
50 100200 5001000
发射电流： -I
E
（MA ）
V
CE
= 5V
100
10
1
0.1 0.2 0.5 1 2
5 10 20
50 100
发射极到基极电压： V
CB
(V)
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R208-030,A
