1N5518BUR通1N5546BUR

（或MLL5518B直通MLL5546B ）

斯科茨代尔区划

低电压表面贴装

500 mW的雪崩二极管

图形和电路

P

d

额定功耗（MW ）

噪声密度，（N-

D

）是在指定的

微伏均方根每平方根赫兹。

实际测量中进行

用1kHz到3kHz的频率

带通滤光器以恒定的齐纳

o

测试电流（I

ZT

） ，在25℃的环境

温度。

WWW .

Microsemi的

.C

OM

T

EC

T

A

T

EC

，端盖温度（℃ ）或T

A

在FR4 PC板环境温度的

o

图2

功率降额曲线

图1

噪声密度

测量电路

单位：pF的典型电容（pF ）

科幻gure 3

齐纳电压V

Z

电容与齐纳电压（典型值）

图4

齐纳二极管的特性和符号识别

1N5518BUR - 1N5546BUR

包装尺寸

暗淡

A

B

C

英寸

民

最大

0.063

0.067

0.130

0.146

0.016

0.022

MILLIMETERS

民

最大

1.60

1.70

3.30

3.70

0.41

0.55

A

B

C

焊盘布局

英寸

.200

.055

.080

mm

5.08

1.40

2.03

第3页

版权

2003

2003年10月13日REV A

Microsemi的

斯科茨代尔区划

8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503