2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
数据表
TRC
地址AMS- 0
TCE
CE＃
TOE
OE ＃
VIH
WE＃
TCLZ
DQ15-0
高-Z
TOLZ
TAA
tOHZ
TOH
数据有效
TCHZ
高-Z
数据有效
注意：
AMS =最显著地址
AMS = A16的SST39LF / VF200A ，而A17为SST39LF / VF400A A18的SST39LF / VF800A
1117 F03.2
图5 ：读周期时序图
内部程序操作开始
TBP
地址AMS- 0
5555
TAH
TWP
WE＃
TAS
OE ＃
总胆固醇
CE＃
TCS
DQ15-0
XXAA
SW0
注意：
XX55
SW1
XXA0
SW2
数据
字
（地址/数据）
TWPH
TDS
2AAA
5555
ADDR
TDH
AMS =最显著地址
AMS = A16的SST39LF / VF200A ，而A17为SST39LF / VF400A A18的SST39LF / VF800A
X可以为VIL或VIH ，但没有其他价值。
1117 F04.4
图6 ： WE＃控制程序周期时序图
2007硅存储技术公司
S71117-09-000
2/07
15
