2兆位/ 4兆位/ 8兆位多用途闪存
SST39LF200A / SST39LF400A / SST39LF800A
SST39VF200A / SST39VF400A / SST39VF800A
数据表
TBE
BAX
FOR块擦除六字节码
地址AMS- 0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
CE＃
OE ＃
TWP
WE＃
DQ15-0
XXAA
SW0
XX55
SW1
XX80
SW2
XXAA
SW3
XX55
SW4
XX50
SW5
360 ILL F17.9
注：该器件还支持CE ＃控制的块擦除操作。 WE＃和CE＃信号
只要满足最小时序interchageable 。 （见表16 ）
BAX =块地址
AMS =最显著地址
AMS = A16的SST39LF / VF200A ，而A17为SST39LF / VF400A A18的SST39LF / VF800A
X可以为VIL或VIH ，但没有其他价值。
图9 ： WE＃
ONTROLLED
B
LOCK
-E
RASE
T
即时通信
D
IAGRAM
扇区擦除六字节码
地址AMS- 0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
SAX
TSE
CE＃
OE ＃
TWP
WE＃
DQ15-0
XXAA
SW0
XX55
SW1
XX80
SW2
XXAA
SW3
XX55
SW4
XX30
SW5
360 ILL F18.8
注：该器件还支持CE＃控制的扇区擦除操作。 WE＃和CE＃信号
只要满足最小时序interchageable 。 （见表16 ）
SAX =扇区地址
AMS =最显著地址
AMS = A16的SST39LF / VF200A ，而A17为SST39LF / VF400A A18的SST39LF / VF800A
X可以为VIL或VIH ，但没有其他价值。
图10 ： WE＃
ONTROLLED
S
埃克特
-E
RASE
T
即时通信
D
IAGRAM
2001硅存储技术公司
S71117-04-000 6/01
360
18
