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FlashFlex51 MCU
SST89E52RD2 / RD / SST89E54RD2 / RD / SST89E58RD2 / RD
SST89V52RD2 / RD / SST89V54RD2 / RD / SST89V58RD2 / RD
数据表
13.0系统时钟及时钟选项
13.1时钟输入选项以及建议
谁料电容值振荡器
如图13-1所示是一个跨的输入和输出
纳尔反相放大器（XTAL1 ， XTAL2 ），其可以CON组
想通用作片内振荡器。
当从外部时钟源驱动器件，
XTAL2应悬空，XTAL1脚应该是
驱动。
在启动时，外部振荡器可能会遇到更高
在XTAL1因之间的相互作用的容性负载
放大器和反馈电容。然而，该
电容将不会超过15pF一旦外部信号
符合V
IL
和V
IH
特定连接的阳离子。
晶体的制造商，供应电压，以及其他因素
可能会导致电路性能，从一个应用程序不同
和灰到另一个。 C1和C2应调整批
ately每个设计。表13-1所示为典型值
C1和C2与晶体型为各种频率
表13-1 ：推荐值C1和
C2由晶型
水晶
石英
陶瓷的
C1 = C2
20-30pF
40-50pF
T13-1.0 1255
关于片上振荡器的设计更具体的信息
可以在找到
FlashFlex51振荡器电路设计
注意事项
应用笔记。
13.2时钟加倍选项
默认情况下，该设备运行在每个机器周期12个时钟
（×1模式）。该设备具有时钟倍频选项
加快到每个机器周期6个时钟周期。请参阅
表13-2的细节。
时钟双模式可被允许，在经由外部
主机模式或IAP模式。请参考表4-2
在IAP模式启动命令（设置时， EDC ＃
在SFST寄存器位将指示6时钟模式）。
时钟双模式是仅用于跨倍增
最终系统时钟和内部闪存，即
EA#=1.
访问外部存储器和外围
设备，必须仔细考虑才能作出。另外请注意
该晶体输出（ XTAL2 ）不会被加倍。
XTAL2
C2
C1
XTAL1
V
SS
外
振荡器
信号
NC
XTAL2
XTAL1
V
SS
使用片上振荡器
图13-1：振荡器特性
表13-2：时钟加倍特点
设备
标准模式（ X1 ）
每时钟
机器周期
马克斯。外部时钟频率
（兆赫）
外部时钟驱动
1255 F32.0
双时钟模式（ X2 ）
每时钟
机器周期
马克斯。外部时钟频率
（兆赫）
SST89E5xRD2/RD
SST89V5xRD2/RD
12
12
40
33
6
6
20
16
T13-2.0 1255
2006硅存储技术公司
S71255-05-000
5/06
62
