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FlashFlex MCU
SST89E54RD2A / RDA / SST89E58RD2A / RDA
SST89V54RD2A / RDA / SST89V58RD2A / RDA
数据表
当动态改变时要特别小心
SFCF [ 0 ]位。因为这将导致不同的物理存储器
将被映射到逻辑程序的地址空间。该
用户必须避免执行块切换指令
在地址范围0000H到1FFFH 。
表
3-2 ： SFCF值在不同的复位
条件
SFCF的状态[1：0 ]后：
POWER- ON
or
外
RESET
00
（默认）
01
10
11
WDT复位
or
欠压
RESET
x0
x1
10
11
当指令访问地址的高128
个字节（上面7FH ）时，MCU确定是否
按给定的指令类型访问SFR或RAM 。如果
这是间接的，则访问RAM 。如果它是直接的，则一个
SFR访问。请参见下面的实施例。
间接访问：
MOV @ R0 ， #data ; R0包含90H
寄存器R0指向90H ，位于上
地址范围。在“ #data ”的数据被写入到RAM中的位置
90H ，而不是端口1 。
直接访问：
MOV90H ， #data ;写数据到P1
在“ #data ”的数据被写入到端口1说明了写
直接把地址写的SFR 。
要访问扩展内存， EXTRAM位必须是
清零和MOVX指令必须被使用。额外
768字节的存储器在物理上位于所述芯片上和
逻辑上占据第一768字节的外部存储器
（地址000H到2FFH ） 。
当EXTRAM = 0 ，扩展RAM是间接
组合使用MOVX指令寻址
与任何寄存器R0 ，所选择的银行或R1
DPTR 。访问扩展内存，不影响
P0口， P3.6 （ WR ＃ ） ， P3.7 （ RD ＃ ） ，或P2 。同
EXTRAM = 0 ，扩展RAM可以访问，
在下面的例子。
扩展RAM访问（只能间接寻址） ：
MOVX @ DPTR ， A; DPTR包含0A0H
SC1
1
U (1)
U (1)
P (0)
P (0)
SC0
1
U (1)
P (0)
U (1)
P (0)
软件
RESET
10
11
10
11
T3-2.0 1339
1， P =编程（位逻辑状态= 0 ） ，
U =编程（位逻辑状态= 1 ）
3.3数据RAM存储器
数据RAM具有1024字节的内部存储器。该
RAM可寻址多达64KB的外部数据
内存。
3.4扩展数据RAM寻址
该SST89E / V5xRDxA都有的1K的能力
内存。参见图3-3 。
该装置具有四个部分的内部数据存储器：
1.低128字节RAM（ 00H到7FH）可
直接或间接寻址。
2.高128字节RAM （ 80H到FFH）
间接寻址。
3.特殊功能寄存器（ 80H到FFH）
只可直接寻址。
4. 768字节扩展RAM （ 00H到2FFH ）是
外部此举间接寻址
指令（ MOVX ）和清除EXTRAM位。
（参见“辅助寄存器（ AUXR ） ”中第3.6节，
“特殊功能寄存器” ）
由于高128字节的RAM占用相同的地址
特殊功能寄存器，在内存必须间接访问。拉姆
和SFR的空间在物理上分开，即使它们
有相同的地址。
DPTR指向0A0H和数据中的“ A”被写入地址
0A0H扩展RAM ，而不是外部存储器。
访问外部存储器高于使用2FFH的
MOVX指令访问外部存储器（ 0300H到
FFFFH ），并以同样的方式为标准进行
8051 ， P0和P2口作为数据/地址总线和P3.6和
P3.7作为写入和读出时序信号。
当EXTRAM = 1 ， MOVX @Ri和MOVX @DPTR会
类似于标准8051使用MOVX @Ri亲
志愿组织与端口0上的复用数据的8位地址。
其他输出端口的引脚可以用来输出高阶
地址位。这提供了外部分页功能。
使用MOVX @DPTR产生一个16位的地址。这
允许外部解决了64K 。端口2提供
高8位地址（ DPH ） ， P0口复用
为低8位地址（ DPL ）的数据。两
MOVX @Ri和MOVX @DPTR生成必要的
S71339-01-000
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2007硅存储技术公司
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