6.3.2
EEPROM写在掉电休眠模式
当进入掉电睡眠模式，同时EEPROM写操作是活动的，则
EEPROM写操作将继续，并且将完成前的写访问时间
通过。但是，当写操作完成时，时钟继续运行，并且作为
因此，该设备不进入掉电完全。因此，建议
验证EEPROM写操作进入掉电前完成。
6.3.3
防止EEPROM腐败
在低V的时期
CC,
在EEPROM中的数据可能被破坏，因为电源电压是
过低，CPU和正确操作的EEPROM中。这些问题都是一样的
用板级系统的EEPROM中，并且在同一设计方案应该被应用。
一个EEPROM数据损坏有两种情况下都导致当电压过低。首先，
一个常规的写序列到EEPROM需要一个最小的电压，以正常工作。节
ondly ， CPU本身能够执行指令的错误，如果电源电压过低。
EEPROM数据损坏的问题可以通过以下方法解决：
在保持电源电压不足期间AVR RESET信号（低） 。这可以
通过启用内部欠压检测器（ BOD）来完成。如果内部的检测电平
董事会并不需要的检测水平，外部低V匹配
CC
复位保护电路
被使用。如果发生了复位，而在写操作过程中，写操作将要远
pleted提供的电源电压是足够的。
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ATmega165P
8018A–AVR–03/06
